在現有材料中，具有最大(dà)的電光(guāng)（EO）效應的光(guāng)學晶體(tǐ)：通過利用電光(guāng)（EO）的作(zuò)用，可(kě)以進行高速光(guāng)學控制。當應用于光(guāng)學掃描儀時，它可(kě)以以傳統技術(shù)無法實現的方式進行位移跟蹤。 特點通過使用高EO效應（Kerr效應），可(kě)以制造小型高速光(guāng)學掃描儀（光(guāng)學偏光(guāng)鏡），可(kě)變焦距透鏡或高效相(xiàng)位調制器（光(guāng)學開關）。
在現有材料中，具有極大(dà)的電光(guāng)（EO）效應的光(guāng)學晶體(tǐ)：
通過利用電光(guāng)（EO）的作(zuò)用，可(kě)以進行高速光(guāng)學控制。
當應用于光(guāng)學掃描儀時，它可(kě)以以傳統技術(shù)無法實現的方式進行位移跟蹤。
特點
通過使用高EO效應（Kerr效應），可(kě)以制造小型高速光(guāng)學掃描儀（光(guāng)學偏光(guāng)鏡），可(kě)變焦距透鏡或高效相(xiàng)位調制器（光(guāng)學開關）。
EO效應 | S11〜= 3.0×10 -15 m2 / V 2，例如(rú)：δn〜0.003，* 1 |
光(guāng)學品質 | 在488 nm和3,500 nm之間是透明的，其中有望實現超高EO效應。 |
應用領域
-KTN偏轉器
-200kHz OCT波長掃光(guāng)
-垂直聚焦鏡片
-光(guāng)學調制器
-各種實驗應用（芯片，設備）
應用實例
KTN晶片
KTN晶片（4.0×3.2×1.2 ）
可(kě)根據客戶設備的設計(jì)來(lái)定制尺寸和形狀。另外，請(qǐng)向我們咨詢最合适的電極和抗反射塗層等
EO效應 | S11〜= 3.0×10 -15 m2 / V 2，例如(rú)：δn〜0.003，* 1 |
光(guāng)學品質 | 在488 nm和3,500 nm之間是透明的，其中有望實現超高EO效應。 |
應用領域
-KTN偏轉器
-200kHz OCT波長掃光(guāng)
-垂直聚焦鏡片
-光(guāng)學調制器
-各種實驗應用（芯片，設備）
應用實例
KTN晶片
KTN晶片（4.0×3.2×1.2 ）
可(kě)根據客戶設備的設計(jì)來(lái)定制尺寸和形狀。另外，請(qǐng)向我們咨詢最合适的電極和抗反射塗層等