離(lí)子束刻蝕的原理(lǐ)是把氩氣等惰性氣體(tǐ)充入離(lí)子源放(fàng)電室，并使其電離(lí)形成等離(lí)子體(tǐ)，然後由栅極将離(lí)子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離(lí)子束進入工(gōng)作(zuò)室，射向固體(tǐ)表面，撞擊固體(tǐ)表面原子，使材料原子發生(shēng)濺射，達到刻蝕目的，純屬物理(lǐ)過程。基本功能1. 三維結構刻蝕：離(lí)子束刻蝕設備可(kě)用于刻蝕任何材料的三維結構，刻蝕陡直度優于85度，刻蝕精度可(kě)做到小于10nm。2. 材料表面清洗：采用考夫曼離(lí)子源産生(shēng)的準直離(lí)子束對樣
離(lí)子束刻蝕的原理(lǐ)是把氩氣等惰性氣體(tǐ)充入離(lí)子源放(fàng)電室，并使其電離(lí)形成等離(lí)子體(tǐ)，然後由栅極将離(lí)子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離(lí)子束進入工(gōng)作(zuò)室，射向固體(tǐ)表面，撞擊固體(tǐ)表面原子，使材料原子發生(shēng)濺射，達到刻蝕目的，純屬物理(lǐ)過程。
1. 三維結構刻蝕：離(lí)子束刻蝕設備可(kě)用于刻蝕任何材料的三維結構，刻蝕陡直度優于85度，刻蝕精度可(kě)做到小于10nm。
2. 材料表面清洗：采用考夫曼離(lí)子源産生(shēng)的準直離(lí)子束對樣品表面進行清洗，通過離(lí)子束轟擊材料表面去(qù)除表面污染層，因其清洗過程屬于純物理(lǐ)原理(lǐ)，所以離(lí)子束清洗是材料表面純淨化極爲徹底的方法。該設備可(kě)用于清洗各種材料表面，并且不會發生(shēng)二次污染。
3. 材料表面終極抛光(guāng)：采用離(lí)子束對材料表面進行抛光(guāng)，可(kě)使材料表面達到極小粗糙度。例如(rú)我們對熔融石英表面進行抛光(guāng)實驗，最終其表面粗糙度可(kě)達到Ra=0.1nm。
1. 化學輔助離(lí)子束刻蝕：*控制物理(lǐ)與化學刻蝕分(fēn)量，提高材料刻蝕率和與掩模材料的刻蝕選擇比。
2. 反應離(lí)子束刻蝕：可(kě)通多種反應氣體(tǐ)提高刻蝕速率和選擇比。例如(rú)：用光(guāng)刻膠做掩模刻蝕SiO2，刻蝕速率比已達1:3以上。
3. 金屬表面再造：使其比表面積增大(dà)1000倍以上，具有微米和納米柱狀微結構。可(kě)制作(zuò)TWT陽極，具有極低的二次電子發射系數。