離(lí)子刻蝕設備

雙離(lí)子束濺射沉積鍍膜設備

離(lí)子束濺射沉積鍍膜原理(lǐ)是利用離(lí)子源産生(shēng)的高能離(lí)子束轟擊置于高真空中的靶材,使靶材原子濺射直接沉積在襯底表面上,在襯底表面重新組合形成薄膜,該鍍膜技術(shù)是純物理(lǐ)過程,無環境污染、無交叉污染。基本功能1. 可(kě)用于在各種襯底材料上濺射沉積各種金屬、合金、化合物及半導體(tǐ)材料的單層薄膜、多層薄膜,也可(kě)将單質材料通過反應合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜;2. 與CVD和PVD等其他(tā)薄膜技術(shù)相(xiàng)比,具有薄膜材料最廣

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離(lí)子束濺射沉積鍍膜原理(lǐ)是利用離(lí)子源産生(shēng)的高能離(lí)子束轟擊置于高真空中的靶材,使靶材原子濺射直接沉積在襯底表面上,在襯底表面重新組合形成薄膜,該鍍膜技術(shù)是純物理(lǐ)過程,無環境污染、無交叉污染。


基本功能

1. 可(kě)用于在各種襯底材料上濺射沉積各種金屬、合金、化合物及半導體(tǐ)材料的單層薄膜、多層薄膜,也可(kě)将單質材料通過反應合成氧化物、氮化物、碳化物等薄膜;
2. 與CVD和PVD等其他(tā)薄膜技術(shù)相(xiàng)比,具有薄膜材料最廣泛适用性,且薄膜緻密、均勻、附着力和純度超高;