反應離(lí)子刻蝕原理(lǐ)是将通入刻蝕室的工(gōng)藝氣體(tǐ)分(fēn)子解離(lí)，産生(shēng)等離(lí)子體(tǐ)。一方面由等離(lí)子體(tǐ)中的部分(fēn)活性基團與被刻蝕材料表面發生(shēng)化學反應，另一方面由于射頻自(zì)偏壓作(zuò)用，等離(lí)子體(tǐ)中的正離(lí)子對被刻蝕材料表面進行物理(lǐ)轟擊，從(cóng)而以物理(lǐ)化學相(xiàng)結合的方法達到材料表面刻蝕的目的。基本功能1. 該設備采用平闆電容放(fàng)電形式，将通入刻蝕室的工(gōng)藝氣體(tǐ)分(fēn)子解離(lí)，産生(shēng)等離(lí)子體(tǐ)。一方面由等離(lí)子體(tǐ)中的部分(fēn)活性基團與被刻蝕材料表面發生(shēng)化學反應
反應離(lí)子刻蝕原理(lǐ)是将通入刻蝕室的工(gōng)藝氣體(tǐ)分(fēn)子解離(lí)，産生(shēng)等離(lí)子體(tǐ)。一方面由等離(lí)子體(tǐ)中的部分(fēn)活性基團與被刻蝕材料表面發生(shēng)化學反應，另一方面由于射頻自(zì)偏壓作(zuò)用，等離(lí)子體(tǐ)中的正離(lí)子對被刻蝕材料表面進行物理(lǐ)轟擊，從(cóng)而以物理(lǐ)化學相(xiàng)結合的方法達到材料表面刻蝕的目的。
基本功能
1. 該設備采用平闆電容放(fàng)電形式，将通入刻蝕室的工(gōng)藝氣體(tǐ)分(fēn)子解離(lí)，産生(shēng)等離(lí)子體(tǐ)。一方面由等離(lí)子體(tǐ)中的部分(fēn)活性基團與被刻蝕材料表面發生(shēng)化學反應，另一方面由于射頻自(zì)偏壓
作(zuò)用，等離(lí)子體(tǐ)中的正離(lí)子對被刻蝕材料表面進行物理(lǐ)轟擊，從(cóng)而以物理(lǐ)化學相(xiàng)結合的方法達到材料表面刻蝕的目的；
2. 刻蝕氣體(tǐ)：氟基刻蝕氣體(tǐ)；
3. 可(kě)刻蝕材料：單晶矽、非晶矽、多晶矽、SiO2、Si3N4、PSG、SOI、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等；
4. 設備兼有去(qù)膠功能。